Технические детали
Исследователи из Иллинойсского университета в Урбане-Шампейне разработали революционную технологию вертикального стекинга высокопроизводительных кремниевых схем непосредственно друг на друга. Этот прорыв может помочь полупроводниковой индустрии продолжать наращивать вычислительную мощность процессоров не прибегая к дальнейшему физическому уменьшению транзисторов.
Контекст и предыстория
Десятилетиями производительность росла за счет уменьшения элементов, но сейчас индустрия вплотную приблизилась к фундаментальным физическим границам кремния, где дальнейшая миниатюризация становится экономически и технически нецелесообразной. Вместо уменьшения компонентов американские инженеры предложили строить чипы «вверх».
Влияние на индустрию
Наслоение множества кремниевых контуров позволяет радикально увеличить плотность транзисторов, сократить расстояние для передачи сигналов внутри кристалла и существенно повысить энергоэффективность. Доцент кафедры материаловедения и инженерии Цин Цао объясняет это на простом примере: «Возьмем такую простую вещь, как статическая оперативная память, которая повсеместно используется в процессорах и видеокартах. Сегодня для хранения одного бита информации требуется шесть микроэлектронных устройств, называемых транзисторами, расположенных на одной плоскости. Благодаря вертикальной интеграции их можно распределить по нескольким слоям».