Технічні деталі
Дослідники з Іллінойського університету в Урбані-Шампейні розробили революційну технологію вертикального стекінгу високопродуктивних кремнієвих схем безпосередньо один на одного. Цей прорив може допомогти напівпровідниковій промисловості продовжувати нарощувати обчислювальну потужність процесорів не звертаючись до подальшого фізичного зменшення транзисторів.
Контекст і передісторія
Десятиліттями продуктивність росла за рахунок зменшення елементів, але зараз галузь впритул наблизилася до фундаментальних фізичних меж кремнію, де подальша мініатюризація стає економічно і технічно недоцільною. Замість зменшення компонентів американські інженери запропонували будувати чіпи 'вгору'.
Вплив на галузь
Насладження кількох кремнієвих контурів дозволяє радикально збільшити густину транзисторів, скоротити відстань для передачі сигналів всередині кристалу і суттєво підвищити енергоефективність. Доцент кафедри матеріалознавства і інженерії Цин Цао пояснює це на простому прикладі: 'Візьмемо таку просту річ, як статична оперативна пам'ять, яка широко використовується в процесорах і відеокартах. Сьогодні для зберігання одного біта інформації потрібно шість мікроелектронних пристроїв, званих транзисторами, розташованих на одній площині. Завдяки вертикальній інтеграції їх можна розподілити по кількох шарах'.